新たな段階に入ったフェーズチェンジメモリ

カナダ、 オンタリオ州トロント発、 2008年7月9日 – 過去40年間にわたって続けられてきたフェーズチェンジメモリ(相変化メモリ：PCM)の研蚋が1つの節目を迎えました。 2008年2月、 Intel社が128MBのPCMデバイスのサンプル出荷を開始したと発表したのです。 これは、 PCMの実用化に向けた長い道のりが新たな段階に入ったことを示す出来事といえるでしょう。

今後4年間は、 PCM実用化に向けての学習期間になると思われます。 ベンダーは、 高い歩留まりを維持しながらPCMを製造するという困難な課題を解決しなければならず、 OEMの側も、 PCMの優れたパフォーマンスとビット変更機能を生かせるようにファームウェアを修正しなければならないからです。

しかし、 先進的なプロセス技術への急速な移行、 物理的なセルサイズの縮小、 多層セル技術の進歩といった複合的な要因により、 今後5年間でコストが急速に下がり、 PCMがフラッシュメモリの有力な後継技術になる可能性は十分にあります。 2008年から2015年までのPCM市場の複合年間成長率(CAGR)は164％と予想されており、 2015年には72億5,000万ドルに達する見通しです。

カナダの市場調査会社Forward Insightsがこのほど発行した調査報告書「Phase Change Memory Enters a New Phase」は、 現在主流となっている電荷ベースのメモリに対抗する技術としての地位を築いていく際にPCMが直面するさまざまな課題を指摘しています。 また同報告書は、 SRAMやDRAM、 NORフラッシュ、 NANDフラッシュなど現在広く使われている半導体メモリとPCMを比較しながら徹底分析するとともに、 主要ベンダーによるPCM開発の最新動向や詳細なロードマップに基づく2015年までの市場と価格の予測なども示しています。