InPエレクトロニクスコンポネント市場は2006年には5億ドル規模に

インジウムリン化合物（InP）のオプトエレクトロニクスデバイス（レーザダイオード、レーザ検知器など）は、これまで20年以上をかけて普及してきた。主に光ファイバを使った情報通信やデータ通信ネットワークの分野においてその利用が拡大し、そのデバイス市場は既に大市場（2001年度実績で26億ドル規模）となっている。InPベースのエレクトロニクス装置は長年にわたって研究対象となってきたが、今まさに研究所から市場へと活躍の場を移しつつある。ここ数年は、40ギガビットの光ファイバ網や2.5G、3Gの携帯電話端末などの次世代通信システムに対する厳しい要件を満たそうと、研究開発が加速度的に進んでいる。

最近、InPエレクトロニクスに対する関心が高まっているが、それは同分野への参入を企てる企業数の伸びからもよくわかる。現在では、InPエレクトロニクス関連の活動をする企業が約130社、大学数100強、そして世界中に研究センタがある。この関心の高まりに対応しようと、市場調査企業であるStrategies Unlimited社は、｢Indium Phosphide Electronics 2002 - Technology Status, Applications, and Market Forecasts ｣ と題した調査報告書を出版した。同調査報告書では、InPエレクトロニクス技術の現状評価や同市場参入を目指す様々なサプライヤの市場活動検証、主要アプリケーションの特定、そして2006年までの市場予測などを掲載している。

InPベースのエレクトロニクス装置にはHBTやHEMTなどがあり、これらはGaAsやSiGeといったライバルとなる材料に比べ、未曾有の実績をあげてきた。InPデバイスが最もその適性を発揮する機能としては、パワーアンプ、低ノイズアンプ、多重化/非多重化装置、クロックデータ復旧装置、レーザドライバ、OEICなど、様々なものがある。大量生産を開始する前に解決すべき課題も多く残っているものの、今後5年ほどでこれらのデバイスは、多くのアプリケーションに広く採用され、それぞれの性能要件を満たすようになるだろう。

InPエレクトロニクスデバイスのアプリケーションの中で、これからの数年で成功する可能性が最も高いのは、40ギガビット/秒の光通信システム用チップ、10ギガビット/秒の光通信システム用レシーバOEIC、2.5Gや3G携帯電話端末用電力アンプ、携帯電話逆送機器に用いるミリ波（18GHz以上）無線用MMIC、ブロードバンドワイヤレスアクセスなどである。その他には、衛星レシーバ、ミリ波レーダ、テスト/測定機器などがある。全体的に見て、Strategies Unlimited 社は、InPエレクトロニクスコンポネント市場は2006年には5億ドル規模を超え、今後10年ほどで数10億ドル規模にまで達する見込みがあると予測している。