窒化ガリウム市場の分析と予測

過去12年間にわたり、窒化ガリウム（GaN）に関する研究や商品開発が重点的に行われ、2000 年からは世界中で研究活動が行われるようになっております。2000 年にはわずか 350 社ほどであった研究機関は 2005 年初頭には 500 社以上にまで増加しました。

光ネットワークの調査で世界的に評判の高い米国の調査会社 Strategies Unlimited (本社: カリフォルニア州）では、窒化ガリウム市場に関して調査分析し、予測をまとめた報告書 “Gallium Nitride” を発行いたしました。

当報告書は、窒化ガリウムの特性、課題、新技術開発、用途分析、サプライヤのプロファイル、政府機関の取り組みと支援、用途および機器のタイプ別の市場予測（2009 年まで）などについて、概略下記の構成で取り上げています。

1. エグゼクティブサマリー

2. 窒化ガリウムの背景と材料特性

• 歴史/初期用途
  • 結晶成長
  • 薄膜蒸着
  • P-ドーピング
  • エッチング
  • コンタクト形成
  • バンド構造
  • GaN 青色 LED
• 基本材料特性
  • 結晶構造
  • バンドギャップ
  • 飽和電子ドリフト速度
  • 逆方向電場
  • 誘電率
  • 熱伝導率
  • 熱膨張係数
  • 放射線耐性
• 競合材料メリット数値

3. 主な用途

• オプトエレクトロニクス
  • LED
  • レーザーダイオード
  • UV 検出器
  • UV 光源
• 電子装置
  • マイクロ波
  • 高温
  • 高出力

4. R&D 課題と取り組み

• 最新状況
  • 基質
  • 蒸着膜の組成/質
  • P-ドーピング
  • エッチング
  • コンタクト
  • パッケージング
  • 歴史的レビュー
• エピタキシャル蒸着型 GaN 薄膜
  • 現在の GaN 蒸着技術
  • LEO/ELOG
  • PENDEO
  • Cantilever Epi プロセス
  • Plasma-Assisted MBE/AP-MOCVD
• コンタクト
  • 背景
  • 最近の実績
  • GaN コンタクトに関する研究を行っている研究センター
• 基質とその品質
  • サファイア
  • SiC
  • GaN
  • AIN
• GaN のエッチング
  • 背景
  • 最近の実績
  • エッチングの化学的性質と技術
  • 関連企業、大学、研究センター
• ドーピング
  • 背景
  • 2003 年移行の主な取り組み
• パッケージング
  • 光熱出力
  • LED 熱伝達と熱設計
  • パワーLED
  • 主な取り組み
  • 新規および今後のパッケージング技術
  • 電子機器のパッケージング

5. GaN ベースの機器の種類

• オプトエレクトロニクス機器
• 電子機器

6. 企業、学術機関および政府の取り組み

• GaN 関連の産業的な取り組み
• GaN 開発を行っている大学/研究センター
• GaN 関連の政府の取り組みと支援
• GaN 開発に携わっている主要企業の概要
• GaN 開発に携わっている大学の概要
• GaN 開発を支援している政府機関の概要
• 台湾における GaN 開発と生産
• 中国における GaN

7. 用途分析と市場予測

• オプトエレクトロニクス用途
• 電子用途
• 市場予測（2005-2009 年）