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【 英文市場調査報告書 】

内蔵メモリ最新動向

Advances in Embedded Memories

商品コード : 51760 Technical Insights, Inc.
出版日: 2007/05
発行 : Technical Insights, Inc.
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価格情報
概要 原文目次
※この商品は英文にてご提供いたします。

多様な最先端産業の戦略的調査を専門とする米国の調査会社 Technical Insights, Inc. (本社:テキサス州) では、内蔵メモリに関する最新動向について調査分析し、まとめた報告書 "Advances in Embedded Memories" を発行いたしました。

当報告書では、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、FRAM、MRAM、相変化メモリ、カーボンナノチューブメモリなどの技術別概要とともに、分子メモリやポリマーメモリなど現在研究中のメモリ技術の動向などについても交え、概略下記の構成でお届けいたします。

第1章 エグゼクティブサマリー

第2章 DRAM、SRAM、フラッシュ技術

  • 内蔵SRAMおよび内蔵DRAM
    • 技術概要
    • 技術導入要因
    • 競合技術と応用:SWOT分析
    • eSRAMおよびeDRAM部門における特筆すべき主な技術革新
  • フラッシュ技術
    • 技術概要
    • 技術導入要因
    • 競合技術と応用:SWOT分析
    • フラッシュ技術における特筆すべき主な技術革新

第3章 FRAMおよびMRAM

  • FRAM
    • 技術概要
    • 技術導入要因
    • 競合技術と応用:SWOT分析
    • FRAMにおける特筆すべき主な技術革新
  • MRAM
    • 技術概要
    • 技術導入要因
    • 競合技術と応用:SWOT分析
    • MRAMにおける特筆すべき主な技術革新

第4章 相変化メモリとカーボンナノチューブメモリ

  • 相変化メモリ
    • 技術概要
    • 技術導入要因
    • 応用と競合技術
    • 主な開発動向
  • カーボンナノチューブメモリ
    • 技術概要
    • 技術導入要因
    • 応用と競合技術:SWOT分析
    • 主な開発動向

第5章 将来の内蔵メモリ

  • 分子メモリ
    • 技術概要
    • 技術導入要因
    • 応用と競合技術:SWOT分析
    • 主な開発動向
  • ナノクリスタルメモリ
    • 技術概要
    • 技術導入要因
    • 主な開発動向
  • ゼロキャパシターメモリ
    • 技術概要
    • 技術導入要因
    • 応用と他のメモリ技術との比較:SWOT分析
    • 主な開発動向
  • 研究中のメモリ
    • ポリマーメモリ
    • ツイントランジスターRAM
    • バイオ分子デジタルメモリ

第6章 内蔵メモリ技術の将来見通し

  • 内蔵メモリ技術および応用評価
    • アナリストの見解
    • 業界および学術界における研究動向
  • 技術および応用動向
    • 技術ロードマップ
    • メモリ応用の進化

第7章 主な特許と主な連絡先

  • 特許
    • 米国特許
    • その他の地域における特許
  • 主な業界参入者
    • 学術研究機関
    • 企業部門

第8章 意思決定支援データベース

概要 原文目次
※この商品は英文にてご提供いたします。
【 英文市場調査報告書 】
内蔵メモリ最新動向
Advances in Embedded Memories
出版日: 2007/05
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※ドル建て価格の商品のお支払いは、銀行レート (TTS: 95.20) 換算による円建てのご請求書にて承ります。

US $ 6,000 換算 -> ¥ 571,200 (税抜) Web Access (Regional License)
US $ 6,500 換算 -> ¥ 618,800 (税抜) Hard Copy & Web Access (Regional License)
商品コード : 51760
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